애플의 신제품 아이폰4가 예상과 달리 DDR2 512MB RAM을 채택한 것으로 나타났다.
▲ DDR2 512MB RAM을 채택한 아이폰4S (출처-iFixit)
모바일 기기 수리 전문 사이트 아이픽스잇(iFixit)은 새로운 아이폰4S의 분해 사진을 공개했다.
iFixit은 이전에도 아이폰4 등 신형 단말기가 출시될 때마다 내부 구조를 자세히 분석한 자료를
내놓아 화제가 되곤 했는데, 아이폰4S 역시 남들보다 먼저 입수해 내부 부품을 공개했다.
이 자료에 따르면, 신형 아이폰4S는 예상했던 것처럼 메인 프로세서로 A5 AP 를 내장했으나
RAM은 달랐다. 대부분이 1GB 메모리가 들어갔을 것으로 관측했으나 DDR2 512MB RAM이 채택된 것이다.
애플이 종전 아이폰4의 RAM을 DDR에서 DDR2로 업그레이드 하는 것 만으로도 이용에
무리가 없다고 판단히 이 같은 선택을 한 것으로 예상한다.
이와 관련, 구매 대기자들의 의견은 호불호가 갈릴 것으로 보인다. 최근 출시된
안드로이드폰은 DDR2 1GB RAM 채택이 추세인데, 애플 신제품이 이 정도 사양을 채택했음에도
빠르게 구동될지 의심의 눈초리를 보낼 수 밖에 없다.
배터리와 관련해서는, 아이폰4S가 종전 아이폰4보다 시간당 전력량이 0.05WHr 가량 늘었다고
아이픽스잇 측이 밝혔다. 때문에 배터리 사용 시간이 종전보다 조금 줄었다.
한편 아이폰4S는 통신 칩으로 퀄컴의 MDM6610을 채택했다.